| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 53 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 90 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 200 W |
| Switching Energy | 710µJ (on), 420µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 130 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/179ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
关于 IGW30N60TPXKSA1
IGW30N60TPXKSA1 是由 Infineon Technologies 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 53 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 30A。
IGW30N60TPXKSA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（200 W）、Switching Energy（710µJ (on), 420µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（130 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/179ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Infineon Technologies：On April 1st, 1999, Siemens Semiconductors became Infineon Technologies. A dynamic more flexible company geared towards success in the competitive, ever-changing world of microelectronics. Infineon is a leading global designer, manufacturer and supplier of a broad range of semiconductors used in var...
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新闻资讯
Infineon Technologies 单 IGBT 产品 IGW30N60TPXKSA1
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