IKN06N60RC2ATMA1 英飞凌科技单 IGBT
英飞凌科技 IKN06N60RC2ATMA1 单 IGBT
IKN06N60RC2ATMA1是英飞凌科技旗下的单 IGBT 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供IKN06N60RC2ATMA1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供IKN06N60RC2ATMA1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 18 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 6A |
| Power - Max | 7.2 W |
| Switching Energy | 151µJ (on), 104µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 31 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 8.8ns/174ns |
| Test Condition | 400V, 6A, 49Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 42 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3 |
IKN06N60RC2ATMA1 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
IKN06N60RC2ATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 6A、Power - Max: 7.2 W。
IKN06N60RC2ATMA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（151µJ (on), 104µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（31 nC）、Td (on/off) @ 25°C（8.8ns/174ns）、Test Condition（400V, 6A, 49Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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