| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 4A |
| Power - Max | 75 W |
| Switching Energy | 60µJ (on), 50µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 27 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 12ns/116ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 43Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 34 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
关于 IKD04N60RFATMA1
IKD04N60RFATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT TRENCH 600V 8A TO252-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 4A。
IKD04N60RFATMA1 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（75 W）、Switching Energy（60µJ (on), 50µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（27 nC）、Td (on/off) @ 25°C（12ns/116ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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IKD04N60RFATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
英飞凌科技 单 IGBT 产品 IKD04N60RFATMA1
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