| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 250 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.25V @ 4V, 6A |
| Power - Max | 150 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Logic |
| Gate Charge | 21 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 800ns/5.1µs |
| Test Condition | 5V, 1kOhm |
| Reverse Recovery Time (trr) | 1.2 µs |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
关于 FGD3325G2-F085V
FGD3325G2-F085V 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。ECOSPARK 2 330MJ, 250V, N。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V、Current - Collector (Ic) (Max): 41 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 4V, 6A、Power - Max: 150 W、Input Type: Logic。
FGD3325G2-F085V 共有 14 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge(21 nC)、Td (on/off) @ 25°C(800ns/5.1µs)、Test Condition(5V, 1kOhm)、Reverse Recovery Time (trr)(1.2 µs)、Operating Temperature(-55°C ~ 175°C (TJ)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美:安森美(onsemi)作为全球领先的能源高效创新驱动者,致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局,为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别,包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分,安森美通过其丰富的产品组合,有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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新闻资讯
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