| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 5.7 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 9 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 3A |
| Power - Max | 6.3 W |
| Switching Energy | 62µJ (on), 44µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 18 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 7ns/77.5ns |
| Test Condition | 400V, 3A, 49Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 38 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-261-3 |
| Supplier Device Package | PG-SOT223-3-1 |
关于 IKN03N60RC2ATMA1
IKN03N60RC2ATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。HOME APPLIANCES 14 PG-SOT223-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 5.7 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 9 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 3A、Power - Max: 6.3 W。
IKN03N60RC2ATMA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（62µJ (on), 44µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（18 nC）、Td (on/off) @ 25°C（7ns/77.5ns）、Test Condition（400V, 3A, 49Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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IKN03N60RC2ATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
英飞凌科技 单 IGBT 产品 IKN03N60RC2ATMA1
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