| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 8 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 12 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 4A |
| Power - Max | 62 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 13.5 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/69ns |
| Test Condition | 400V, 4A, 50Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 40 ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Supplier Device Package | TO-252 |
关于 RGT8BM65DTL
RGT8BM65DTL 是由 ROHM Semiconductor 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT TRENCH FIELD 650V 8A TO252。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 8 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A。
RGT8BM65DTL 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（62 W）、Input Type（Standard）、Gate Charge（13.5 nC）、Td (on/off) @ 25°C（17ns/69ns）、Test Condition（400V, 4A, 50Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
ROHM Semiconductor 单 IGBT 产品 RGT8BM65DTL
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