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STGWA50IH65DF

¥34.49
单 IGBT

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650

参数名称参数值
Product StatusActive
IGBT TypeTrench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)650 V
Current - Collector (Ic) (Max)100 A
Current - Collector Pulsed (Icm)150 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 50A
Power - Max300 W
Switching Energy284µJ (off)
Input TypeStandard
Gate Charge158 nC
Td (on/off) @ 25°C-/260ns
Test Condition400V, 50A, 22Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-247-3
Supplier Device PackageTO-247 Long Leads

关于 STGWA50IH65DF

STGWA50IH65DF 是由 STMicroelectronics 制造的 单 IGBT 类电子元器件。TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT 650。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 100 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A。

STGWA50IH65DF 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(300 W)、Switching Energy(284µJ (off))、Input Type(Standard)、Gate Charge(158 nC)、Td (on/off) @ 25°C(-/260ns) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 STMicroelectronics:STMicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum of microelectronics applications. An unrivaled combination of silicon and system expertise, manufacturing strength, Intellectual Property (IP) por...

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新闻资讯

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