AOT20B65M1 万国半导体单 IGBT
万国半导体 AOT20B65M1 单 IGBT
AOT20B65M1是万国半导体旗下的单 IGBT 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供AOT20B65M1现货库存与价格报价查询。我们可为您提供AOT20B65M1 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
如需获取AOT20B65M1的最新价格或技术支持，请联系我们：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 40 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 227 W |
| Switching Energy | 470µJ (on), 270µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 46 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 26ns/122ns |
| Test Condition | 400V, 20A, 15Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 322 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Supplier Device Package | TO-220 |
AOT20B65M1 万国半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
AOT20B65M1 是由 万国半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 650V 20A TO220。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 40 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 20A、Power - Max: 227 W。
AOT20B65M1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（470µJ (on), 270µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（46 nC）、Td (on/off) @ 25°C（26ns/122ns）、Test Condition（400V, 20A, 15Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
AOT20B65M1 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 万国半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供AOT20B65M1价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 AOT20B65M1 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是万国半导体代理商，专业供应AOT20B65M1等单 IGBT 产品。如您需要AOT20B65M1的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供AOT20B65M1现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
