规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 20 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 40 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.8V @ 15V, 10A |
| Power - Max | 163 W |
| Switching Energy | 260µJ (on), 70µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 17.4 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 10ns/72ns |
| Test Condition | 400V, 10A, 30Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 105 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
AOK10B60D 万国半导体单 IGBT - 规格参数与选型指南
AOK10B60D 是由 万国半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 20A 163W TO247。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 20 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 40 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 10A、Power - Max: 163 W。
AOK10B60D 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（260µJ (on), 70µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（17.4 nC）、Td (on/off) @ 25°C（10ns/72ns）、Test Condition（400V, 10A, 30Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 万国半导体：**万国半导体 (Alpha and Omega Semiconductor, Inc.)：赋能高效能源应用的功率半导体先驱**
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