APT20GF120BRDG 微芯科技单 IGBT
微芯科技 APT20GF120BRDG 单 IGBT
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 32 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 64 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 15A |
| Power - Max | 200 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 140 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 17ns/93ns |
| Test Condition | 792V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
APT20GF120BRDG 微芯科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
APT20GF120BRDG 是由 微芯科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT NPT COMBI 1200V 20A TO-247。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 32 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 64 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A。
APT20GF120BRDG 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max(200 W)、Input Type(Standard)、Gate Charge(140 nC)、Td (on/off) @ 25°C(17ns/93ns)、Test Condition(792V, 20A, 10Ohm, 15V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技:微芯科技(Microchip Technology Inc.)是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商,以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案,赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒,自成立以来,微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品,赢得了业界的广泛赞誉。
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