规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 106 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 694 W |
| Switching Energy | 3585µJ (on), 1910µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 240 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/215ns |
| Test Condition | 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | - |
APT50GT120B2RDLG 美高森美单 IGBT - 规格参数与选型指南
APT50GT120B2RDLG 是由 美高森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 106A 694W TO-247。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 106 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A。
APT50GT120B2RDLG 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（694 W）、Switching Energy（3585µJ (on), 1910µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（240 nC）、Td (on/off) @ 25°C（23ns/215ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
APT50GT120B2RDLG 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供APT50GT120B2RDLG价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 APT50GT120B2RDLG 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是美高森美代理商，专业供应APT50GT120B2RDLG等单 IGBT 产品。如您需要APT50GT120B2RDLG的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供APT50GT120B2RDLG现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
