| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 106 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 150 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
| Power - Max | 694 W |
| Switching Energy | 3585µJ (on), 1910µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 240 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 23ns/215ns |
| Test Condition | 800V, 50A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | - |
关于 APT50GT120B2RDLG
APT50GT120B2RDLG 是由 美高森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 106A 694W TO-247。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 106 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A。
APT50GT120B2RDLG 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（694 W）、Switching Energy（3585µJ (on), 1910µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（240 nC）、Td (on/off) @ 25°C（23ns/215ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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新闻资讯
美高森美 单 IGBT 产品 APT50GT120B2RDLG
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