| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 10 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 15 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 5A |
| Power - Max | 73.5 W |
| Switching Energy | 80µJ (on), 70µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 12.1 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 5.4ns/25.4ns |
| Test Condition | 400V, 5A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 35 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | TO-263AB (D²PAK) |
关于 FGB5N60UNDF
FGB5N60UNDF 是由 仙童半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 10 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 15 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 5A。
FGB5N60UNDF 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（73.5 W）、Switching Energy（80µJ (on), 70µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（12.1 nC）、Td (on/off) @ 25°C（5.4ns/25.4ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 仙童半导体：Fairchild Semiconductor，中文名“仙童半导体”，是全球知名的半导体解决方案供应商，以其在功率半导体和模拟集成电路领域的深厚积淀而闻名。自创立以来，仙童半导体一直致力于提供高性能、高可靠性的电子元器件，成为众多行业领先企业信赖的合作伙伴。其主营产品类别广泛，涵盖了功率器件（如MOSFET、IGBT、二极管）、模拟IC（如运算放大器、数据转换器、电源管理IC）、逻辑IC以及汽车电子专用器件等。这些电子元件是现代电子设备不可或缺的基础。
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FGB5N60UNDF 是由 仙童半导体 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
仙童半导体 单 IGBT 产品 FGB5N60UNDF
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