规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 57 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 114 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.7V @ 15V, 33A |
| Power - Max | 200 W |
| Switching Energy | 1.8mJ (on), 19.6mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 167 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 32ns/845ns |
| Test Condition | 960V, 33A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
IRG4PH50S-EPBF 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
IRG4PH50S-EPBF 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 57A TO247AD。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 57 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 114 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 33A、Power - Max: 200 W。
IRG4PH50S-EPBF 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（1.8mJ (on), 19.6mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（167 nC）、Td (on/off) @ 25°C（32ns/845ns）、Test Condition（960V, 33A, 5Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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