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UJ3C065030K3S

¥137.95
单 FET、MOSFET
科沃

MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
Technology-
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C85A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 50A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id6V @ 10mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 15 V
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1500 pF @ 100 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)441W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-247-3
Package / CaseTO-247-3

关于 UJ3C065030K3S

UJ3C065030K3S 是由 科沃 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 650V 85A TO247-3。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 12V。

UJ3C065030K3S 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vgs(th) (Max) @ Id(6V @ 10mA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(51 nC @ 15 V)、Vgs (Max)(±25V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1500 pF @ 100 V)、Power Dissipation (Max)(441W (Tc)) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 科沃:**Qorvo(科沃):驱动下一代高性能电子器件的创新力量**

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UJ3C065030K3S 是什么类型的电子元器件?

UJ3C065030K3S 是由 科沃 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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新闻资讯

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