| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 3.2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 785 pF @ 30 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-23-6 |
| Package / Case | SOT-23-6 |
关于 PJS6461_S1_00001
PJS6461_S1_00001 是由 磐成 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
PJS6461_S1_00001 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（110mOhm @ 3.2A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（10 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（785 pF @ 30 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 磐成：PANJIT（磐成）作为一家全球性的集成器件制造商（IDM），凭借其深厚的技术积淀和前瞻性的发展战略，致力于为全球客户提供卓越的电子元器件解决方案。公司拥有丰富的产品线，涵盖了广泛的电子元件类型，包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二极管、前沿的碳化硅（SiC）器件、经典的双极结型晶体管（BJT）、整流桥等关键电子元器件。这些产品凭借其出色的性能和可靠的质量，广泛应用于各种严苛的电子设备之中。
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新闻资讯
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