| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | P-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.9A (Ta), 38.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 9A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43.4 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400 pF @ 15 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.7W (Ta), 32W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | MLPAK33 |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
关于 PXP012-30QLJ
PXP012-30QLJ 是由 Nexperia 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。P-CHANNEL TRENCH MOSFET。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: P-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Ta), 38.8A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
PXP012-30QLJ 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（12.8mOhm @ 9A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（43.4 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±25V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1400 pF @ 15 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia：Nexperia（中文名：Nexperia）是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分，Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合，涵盖了二极管、双极晶体管、ESD（静电放电）保护器件、MOSFETs、GaN（氮化镓）FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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PXP012-30QLJ 是由 Nexperia 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商，提供该产品的原装正品现货，确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
Nexperia 单 FET、MOSFET 产品 PXP012-30QLJ
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