| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | 20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 550 pF @ 25 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 1.2W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | SOT-89 |
| Package / Case | TO-243AA |
关于 CXDM1002N TR PBFREE
CXDM1002N TR PBFREE 是由 Central Semiconductor 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 100V 2A SOT-89。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
CXDM1002N TR PBFREE 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（300mOhm @ 2A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 250µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（6 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（550 pF @ 25 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Central Semiconductor：Since 1974, Central Semiconductor has manufactured innovative discrete semiconductors used in electronic products worldwide. Devices currently include standard and custom small signal transistors, bipolar power transistors, MOSFETs, diodes, rectifiers, protection devices, current limiting diodes, br...
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新闻资讯
Central Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 CXDM1002N TR PBFREE
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