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UF3C065080B3

¥54.86
单 FET、MOSFET
科沃

MOSFET N-CH 650V 25A TO263

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
Technology-
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs(th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)±25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
FET Feature-
Power Dissipation (Max)-
Operating Temperature-
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTO-263 (D2Pak)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

关于 UF3C065080B3

UF3C065080B3 是由 科沃 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 650V 25A TO263。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)、Vgs (Max): ±25V、Mounting Type: Surface Mount。

UF3C065080B3 共有 8 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package(TO-263 (D2Pak))、Package / Case(TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 科沃:**Qorvo(科沃):驱动下一代高性能电子器件的创新力量**

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UF3C065080B3 是由 科沃 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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本页面提供 UF3C065080B3 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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