| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 15 V |
| Vgs (Max) | +19V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 1000 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 113.6W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | D2PAK-7 |
| Package / Case | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA |
关于 C3M0075120J
C3M0075120J 是由 Wolfspeed 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiCFET (Silicon Carbide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V。
C3M0075120J 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（90mOhm @ 20A, 15V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4V @ 5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（51 nC @ 15 V）、Vgs (Max)（+19V, -8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（1350 pF @ 1000 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Wolfspeed：Wolfspeed (NYSE: WOLF) leads the market in the worldwide adoption of Silicon Carbide and GaN technologies. We provide industry-leading solutions for efficient energy consumption and a sustainable future. Wolfspeed’s product families include Silicon Carbide materials, power-switching devices and RF d...
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新闻资讯
Wolfspeed 单 FET、MOSFET 产品 C3M0075120J
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