| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.4V @ 700µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 980 pF @ 600 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 119W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
| Package / Case | TO-247-3 |
关于 TP90H050WS
TP90H050WS 是由 Transphorm 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 900V 34A TO247-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)、Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
TP90H050WS 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（63mOhm @ 22A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（4.4V @ 700µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（17.5 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（980 pF @ 600 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Transphorm：Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) is a global leader in the design and manufacturing of high performance, high reliability GaN semiconductors for high voltage power conversion systems. With the largest Power GaN IP portfolio of 1,000+ patents, Transphorm produces the industry’s most comprehensive GaN ...
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新闻资讯
Transphorm 单 FET、MOSFET 产品 TP90H050WS
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