规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 41 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 112 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.15V @ 15V, 30A |
| Power - Max | 250 W |
| Switching Energy | 1.15mJ |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 141 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/250ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 11Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | PG-TO247-3-1 |
SGW30N60HSFKSA1 英飞凌科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
SGW30N60HSFKSA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 41A 250W TO247-3。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 41 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 30A。
SGW30N60HSFKSA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（250 W）、Switching Energy（1.15mJ）、Input Type（Standard）、Gate Charge（141 nC）、Td (on/off) @ 25°C（20ns/250ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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