规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 78 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 130 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.6V @ 15V, 26A |
| Power - Max | 337 W |
| Switching Energy | 409µJ (on), 450µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 128 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 16ns/102ns |
| Test Condition | 400V, 26A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 [B] |
APT44GA60BD30C 美高森美单 IGBT - 规格参数与选型指南
APT44GA60BD30C 是由 美高森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 78A 337W TO247。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 78 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 130 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 26A。
APT44GA60BD30C 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（337 W）、Switching Energy（409µJ (on), 450µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（128 nC）、Td (on/off) @ 25°C（16ns/102ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
APT44GA60BD30C 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 美高森美 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供APT44GA60BD30C价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 APT44GA60BD30C 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是美高森美代理商，专业供应APT44GA60BD30C等单 IGBT 产品。如您需要APT44GA60BD30C的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供APT44GA60BD30C现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
