规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 183 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 307 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 62A |
| Power - Max | 780 W |
| Switching Energy | 1.354mJ (on), 1.614mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 294 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 28ns/212ns |
| Test Condition | 400V, 62A, 4.7Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | - |
APT102GA60B2 微芯科技单 IGBT - 规格参数与选型指南
APT102GA60B2 是由 微芯科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 600V 183A 780W TO247。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 183 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 307 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 62A。
APT102GA60B2 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（780 W）、Switching Energy（1.354mJ (on), 1.614mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（294 nC）、Td (on/off) @ 25°C（28ns/212ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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