| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 88 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.2V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 500 W |
| Switching Energy | 929µJ (on), 1070µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 210 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 20ns/166ns |
| Test Condition | 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
关于 APT40GR120B2SCD10
APT40GR120B2SCD10 是由 美高森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 88A 500W TO247。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 88 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 40A。
APT40GR120B2SCD10 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（500 W）、Switching Energy（929µJ (on), 1070µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（210 nC）、Td (on/off) @ 25°C（20ns/166ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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新闻资讯
美高森美 单 IGBT 产品 APT40GR120B2SCD10
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