规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 60 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 20A |
| Power - Max | 180 W |
| Switching Energy | 1.06mJ (on), 620µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 85 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 30ns/160ns |
| Test Condition | 600V, 20A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 105 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247AD |
英飞凌科技 单 IGBT 产品 IRG7PH35UD-EP产品描述
IRG7PH35UD-EP 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT 1200V 50A COPAK247。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 20A。
IRG7PH35UD-EP 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（180 W）、Switching Energy（1.06mJ (on), 620µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（85 nC）、Td (on/off) @ 25°C（30ns/160ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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