APT45GR65BSCD10 美高森美单 IGBT
美高森美 APT45GR65BSCD10 单 IGBT
APT45GR65BSCD10是美高森美旗下的单 IGBT 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供APT45GR65BSCD10现货库存与价格报价查询。我们可为您提供APT45GR65BSCD10 datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | NPT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 118 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 224 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 45A |
| Power - Max | 543 W |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 203 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 15ns/100ns |
| Test Condition | 433V, 45A, 4.3Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 80 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247 |
APT45GR65BSCD10 美高森美单 IGBT - 规格参数与选型指南
APT45GR65BSCD10 是由 美高森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: NPT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V、Current - Collector (Ic) (Max): 118 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 224 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 45A。
APT45GR65BSCD10 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（543 W）、Input Type（Standard）、Gate Charge（203 nC）、Td (on/off) @ 25°C（15ns/100ns）、Test Condition（433V, 45A, 4.3Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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