| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 10A |
| Power - Max | - |
| Switching Energy | - |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) @ 25°C | - |
| Test Condition | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | Die |
| Supplier Device Package | Die |
关于 IRG4CC50WB
IRG4CC50WB 是由 英飞凌科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT CHIP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A、Input Type: Standard、Mounting Type: Surface Mount、Package / Case: Die。
IRG4CC50WB 共有 7 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Supplier Device Package（Die） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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英飞凌科技 单 IGBT 产品 IRG4CC50WB
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