| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 96 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 140 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.9V @ 15V, 35A |
| Power - Max | 540 W |
| Switching Energy | 1mJ (on), 1.185mJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 150 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 14ns/99ns |
| Test Condition | 800V, 35A, 5Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 85 ns |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 Variant |
| Supplier Device Package | T-MAX™ [B2] |
关于 APT35GP120B2D2G
APT35GP120B2D2G 是由 微芯科技 制造的 单 IGBT 类电子元器件。IGBT PT COMBI 1200V 35A TO-247。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: PT、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 96 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A。
APT35GP120B2D2G 共有 17 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（540 W）、Switching Energy（1mJ (on), 1.185mJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（150 nC）、Td (on/off) @ 25°C（14ns/99ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
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新闻资讯
微芯科技 单 IGBT 产品 APT35GP120B2D2G
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