| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 75 A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 300 A |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Power - Max | 625 W |
| Switching Energy | 850µJ (on), 370µJ (off) |
| Input Type | Standard |
| Gate Charge | 450 nC |
| Td (on/off) @ 25°C | 25ns/145ns |
| Test Condition | 390V, 40A, 2.2Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | - |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-247-3 |
| Supplier Device Package | TO-247-3 |
关于 SHGTG40N60A4
SHGTG40N60A4 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。SHGTG40N60A4。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 75 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A、Power - Max: 625 W。
SHGTG40N60A4 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Switching Energy（850µJ (on), 370µJ (off)）、Input Type（Standard）、Gate Charge（450 nC）、Td (on/off) @ 25°C（25ns/145ns）、Test Condition（390V, 40A, 2.2Ohm, 15V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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新闻资讯
安森美 单 IGBT 产品 SHGTG40N60A4
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