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NGD18N45CLBT4G

¥0.00
单 IGBT
安森美

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

参数名称参数值
Product StatusObsolete
IGBT Type-
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)500 V
Current - Collector (Ic) (Max)18 A
Current - Collector Pulsed (Icm)50 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2.3V @ 4.5V, 7A
Power - Max115 W
Switching Energy-
Input TypeLogic
Gate Charge-
Td (on/off) @ 25°C420ns/2.9µs
Test Condition300V, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Operating Temperature-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageTO-252, (D-Pak)

关于 NGD18N45CLBT4G

NGD18N45CLBT4G 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO。该器件的核心参数包括:Product Status: Obsolete、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V、Current - Collector (Ic) (Max): 18 A、Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 4.5V, 7A、Power - Max: 115 W。

NGD18N45CLBT4G 共有 13 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Type(Logic)、Td (on/off) @ 25°C(420ns/2.9µs)、Test Condition(300V, 1kOhm, 5V)、Operating Temperature(-55°C ~ 175°C (TJ))、Mounting Type(Surface Mount) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 安森美:安森美(onsemi)作为全球领先的能源高效创新驱动者,致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局,为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别,包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分,安森美通过其丰富的产品组合,有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。

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NGD18N45CLBT4G 是什么类型的电子元器件?

NGD18N45CLBT4G 是由 安森美 制造的 单 IGBT 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

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本页面提供 NGD18N45CLBT4G 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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