规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Power - Max | 1040 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 14 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
DF200R12KE3HOSA1 英飞凌科技IGBT模块 - 规格参数与选型指南
DF200R12KE3HOSA1 是由 英飞凌科技 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE 1200V 1040W。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Configuration: Single、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Power - Max: 1040 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 200A、Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA。
DF200R12KE3HOSA1 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Input Capacitance (Cies) @ Vce（14 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C）、Mounting Type（Chassis Mount） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
DF200R12KE3HOSA1 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 英飞凌科技 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供DF200R12KE3HOSA1价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 DF200R12KE3HOSA1 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是英飞凌科技代理商，专业供应DF200R12KE3HOSA1等IGBT模块 产品。如您需要DF200R12KE3HOSA1的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
我们提供DF200R12KE3HOSA1现货库存查询与价格报价，支持批量采购与在线询价，原装正品保障，发货速度快。联系方式：0755-83216080 / SALES@LJQ.CC。
