规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | 2 Independent |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3300 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | - |
| Power - Max | 1800 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | - |
| Current - Collector Cutoff (Max) | - |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | - |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | A-IHV130-6 |
DD1200S33KL2C_B5 英飞凌科技IGBT模块 - 规格参数与选型指南
DD1200S33KL2C_B5 是由 英飞凌科技 制造的 IGBT模块 类电子元器件。RECTIFIER DIODE MODULE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Configuration: 2 Independent、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3300 V、Power - Max: 1800 W、Input: Standard、NTC Thermistor: No。
DD1200S33KL2C_B5 共有 10 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Operating Temperature（-40°C ~ 125°C）、Mounting Type（Chassis Mount）、Package / Case（Module）、Supplier Device Package（A-IHV130-6） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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