规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Single Chopper |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 200 A |
| Power - Max | 380000 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 4.9V @ 15V, 200A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 28 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | 125°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
FD200R65KF2-K 英飞凌科技IGBT模块 - 规格参数与选型指南
FD200R65KF2-K 是由 英飞凌科技 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Configuration: Single Chopper、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 3600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 200 A、Power - Max: 380000 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 4.9V @ 15V, 200A。
FD200R65KF2-K 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector Cutoff (Max)（200 µA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（28 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No）、Operating Temperature（125°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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