MSCGLQ50DU120CTBL1NG 微芯科技IGBT模块
微芯科技 MSCGLQ50DU120CTBL1NG IGBT模块
MSCGLQ50DU120CTBL1NG是微芯科技旗下的IGBT模块 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供MSCGLQ50DU120CTBL1NG现货库存与价格报价查询。我们可为您提供MSCGLQ50DU120CTBL1NG datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 110 A |
| Power - Max | 375 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 25 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 2.77 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | - |
MSCGLQ50DU120CTBL1NG 微芯科技IGBT模块 - 规格参数与选型指南
MSCGLQ50DU120CTBL1NG 是由 微芯科技 制造的 IGBT模块 类电子元器件。PM-IGBT-SBD-BL1。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Configuration: Half Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 110 A、Power - Max: 375 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A。
MSCGLQ50DU120CTBL1NG 共有 13 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector Cutoff (Max)（25 µA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（2.77 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes）、Operating Temperature（-55°C ~ 175°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 微芯科技：微芯科技（Microchip Technology Inc.）是一家全球领先的**电子元器件**和**IC芯片**供应商，以其创新的**微控制器**和**模拟半导体**解决方案，赋能全球数以万计的客户实现低风险的产品开发、降低整体系统成本并加速产品上市进程。公司总部位于美国亚利桑那州钱德勒，自成立以来，微芯科技始终致力于提供卓越的技术支持、可靠的交付和高品质的产品，赢得了业界的广泛赞誉。
MSCGLQ50DU120CTBL1NG 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 微芯科技 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供MSCGLQ50DU120CTBL1NG价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 MSCGLQ50DU120CTBL1NG 的最新价格和交期信息。
深圳凌创辉电子有限公司是微芯科技代理商，专业供应MSCGLQ50DU120CTBL1NG等IGBT模块 产品。如您需要MSCGLQ50DU120CTBL1NG的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
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