规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | PT |
| Configuration | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 67 A |
| Power - Max | 245 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 30A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.2 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
| Supplier Device Package | ISOTOP® |
APT30GP60JDQ1 美高森美IGBT模块 - 规格参数与选型指南
APT30GP60JDQ1 是由 美高森美 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE 600V 67A 245W ISOTOP。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、IGBT Type: PT、Configuration: Single、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 67 A、Power - Max: 245 W。
APT30GP60JDQ1 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic(2.7V @ 15V, 30A)、Current - Collector Cutoff (Max)(500 µA)、Input Capacitance (Cies) @ Vce(3.2 nF @ 25 V)、Input(Standard)、NTC Thermistor(No) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美:**美高森美 (Microsemi):高性能半导体解决方案的行业领导者**
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