| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 280 A |
| Power - Max | 780 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 150A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 4 mA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 13 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | D1 |
| Supplier Device Package | D1 |
关于 APTGT150A170D1G
APTGT150A170D1G 是由 美高森美 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE 1700V 280A 780W D1。该器件的核心参数包括：Product Status: Discontinued at Digi-Key、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Half Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700 V、Current - Collector (Ic) (Max): 280 A、Power - Max: 780 W。
APTGT150A170D1G 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.4V @ 15V, 150A）、Current - Collector Cutoff (Max)（4 mA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（13 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（No） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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新闻资讯
美高森美 IGBT模块 产品 APTGT150A170D1G
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