| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Half Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 80 A |
| Power - Max | 176 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 250 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 3.15 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | SP1 |
| Supplier Device Package | SP1 |
关于 APTGT50A60T1G
APTGT50A60T1G 是由 美高森美 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Half Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 80 A、Power - Max: 176 W。
APTGT50A60T1G 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（1.9V @ 15V, 50A）、Current - Collector Cutoff (Max)（250 µA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（3.15 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 美高森美：**美高森美 (Microsemi)：高性能半导体解决方案的行业领导者**
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新闻资讯
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