APTGLQ25H120T2G 美高森美IGBT模块
美高森美 APTGLQ25H120T2G IGBT模块
APTGLQ25H120T2G是美高森美旗下的IGBT模块 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供APTGLQ25H120T2G现货库存与价格报价查询。我们可为您提供APTGLQ25H120T2G datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Configuration | Full Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Power - Max | 165 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.42V @ 15V, 25A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 50 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.43 nF @ 25 V |
| Input | Standard |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | SP2 |
APTGLQ25H120T2G 美高森美IGBT模块 - 规格参数与选型指南
APTGLQ25H120T2G 是由 美高森美 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE 1200V 50A 165W SP2。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、IGBT Type: Trench Field Stop、Configuration: Full Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Power - Max: 165 W。
APTGLQ25H120T2G 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic（2.42V @ 15V, 25A）、Current - Collector Cutoff (Max)（50 µA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（1.43 nF @ 25 V）、Input（Standard）、NTC Thermistor（Yes） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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