| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Obsolete |
| IGBT Type | - |
| Configuration | Full Bridge |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600 V |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 50 A |
| Power - Max | 180 W |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.45V @ 15V, 30A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 500 µA |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 1.6 nF @ 25 V |
| Input | Three Phase Bridge Rectifier |
| NTC Thermistor | Yes |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Package / Case | Module |
| Supplier Device Package | Module |
关于 BSM30GP60B2BOSA1
BSM30GP60B2BOSA1 是由 英飞凌科技 制造的 IGBT模块 类电子元器件。IGBT MODULE 600V 50A 180W。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Configuration: Full Bridge、Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V、Current - Collector (Ic) (Max): 50 A、Power - Max: 180 W、Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 30A。
BSM30GP60B2BOSA1 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Collector Cutoff (Max)（500 µA）、Input Capacitance (Cies) @ Vce（1.6 nF @ 25 V）、Input（Three Phase Bridge Rectifier）、NTC Thermistor（Yes）、Operating Temperature（-40°C ~ 125°C） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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新闻资讯
英飞凌科技 IGBT模块 产品 BSM30GP60B2BOSA1
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