
| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 54mOhm @ 3.2A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 4.5 V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 551 pF @ 10 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta), 8.33W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | DFN1010D-3 |
| Package / Case | 3-XDFN Exposed Pad |
关于 PMXB43UNEZ
PMXB43UNEZ 是由 Nexperia 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V。
PMXB43UNEZ 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(54mOhm @ 3.2A, 4.5V)、Vgs(th) (Max) @ Id(900mV @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(10 nC @ 4.5 V)、Vgs (Max)(±8V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(551 pF @ 10 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Nexperia:Nexperia(中文名:Nexperia)是全球领先的、专注于大批量生产关键半导体的专家。作为电子元器件领域不可或缺的组成部分,Nexperia提供的各类电子元件是每一项电子设计得以实现的基础。公司拥有丰富的产品组合,涵盖了二极管、双极晶体管、ESD(静电放电)保护器件、MOSFETs、GaN(氮化镓)FETs以及模拟与逻辑IC芯片等核心电子产品。
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新闻资讯
Nexperia 单 FET、MOSFET 产品 PMXB43UNEZ
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