规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1000 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.6A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10Ohm @ 800mA, 0V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 5 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 645 pF @ 25 V |
| FET Feature | Depletion Mode |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | TO-252AA |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
力特 单 FET、MOSFET 产品 IXTY1R6N100D2产品描述
IXTY1R6N100D2 是由 力特 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)、Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V。
IXTY1R6N100D2 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（27 nC @ 5 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（645 pF @ 25 V）、FET Feature（Depletion Mode）、Power Dissipation (Max)（100W (Tc)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 力特：力特产品在利用电能的应用中是至关重要的组件，从消费电子产品到车辆和工业设施。他们提供业界最广泛和最深入的电路保护产品组合，同时在电源控制和传感领域不断扩展。作为其加速有机增长和战略收购的企业战略的一部分，他们正在扩展到相邻市场。这些市场包括功率半导体、重型开关、磁性、光学、机电和温度传感器；以及提供安全控制和分配电能的产品。
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