规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | +6V, -4V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
EPC2069 意法半导体单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
EPC2069 是由 意法半导体 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE。该器件的核心参数包括：Product Status: Not For New Designs、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Gallium Nitride)、Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V、Vgs (Max): +6V, -4V。
关于 意法半导体：意法半导体（EPC）作为氮化镓（GaN）功率管理器件领域的创新领导者，始终致力于推动电子元器件技术的革新。EPC率先推出了业界首款增强型氮化镓硅基（eGaN®）场效应晶体管，成功地将GaN技术应用于高性能功率 MOSFET 的替代方案。相较于传统的硅基功率 MOSFET，EPC 的 eGaN® 器件在性能上实现了数倍的飞跃，为众多尖端应用领域提供了卓越的解决方案。
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