规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 120A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 14400 pF @ 37.5 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
英飞凌科技 单 FET、MOSFET 产品 IPB020NE7N3GATMA1产品描述
IPB020NE7N3GATMA1 是由 英飞凌科技 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。
IPB020NE7N3GATMA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（2mOhm @ 100A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.8V @ 273µA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（206 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（14400 pF @ 37.5 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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