| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Ta), 20A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24.7mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.6 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 460 pF @ 30 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 15W (Tc) |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 8-HSMT (3.2x3) |
| Package / Case | 8-PowerVDFN |
关于 RQ3L070BGTB1
RQ3L070BGTB1 是由 ROHM Semiconductor 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 20A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V。
RQ3L070BGTB1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（24.7mOhm @ 7A, 10V）、Vgs(th) (Max) @ Id（2.5V @ 1mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（7.6 nC @ 10 V）、Vgs (Max)（±20V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（460 pF @ 30 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 ROHM Semiconductor：ROHM was established in Kyoto, Japan, in 1958. ROHM designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. These components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets. Some of the most innovative ...
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新闻资讯
ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RQ3L070BGTB1
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