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RQ3L070BGTB1

¥6.84
单 FET、MOSFET

NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta), 20A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs24.7mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds460 pF @ 30 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)2W (Ta), 15W (Tc)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package8-HSMT (3.2x3)
Package / Case8-PowerVDFN

新闻资讯

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