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PJMP210N65EC_T0_00601

¥16.34
单 FET、MOSFET
磐成

650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)700 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs34 nC @ 10 V
Vgs (Max)±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1412 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)150W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeThrough Hole
Supplier Device PackageTO-220AB-L
Package / CaseTO-220-3

关于 PJMP210N65EC_T0_00601

PJMP210N65EC_T0_00601 是由 磐成 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: MOSFET (Metal Oxide)、Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V。

PJMP210N65EC_T0_00601 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(210mOhm @ 9.5A, 10V)、Vgs(th) (Max) @ Id(4V @ 250µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(34 nC @ 10 V)、Vgs (Max)(±30V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(1412 pF @ 400 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 磐成:PANJIT(磐成)作为一家全球性的集成器件制造商(IDM),凭借其深厚的技术积淀和前瞻性的发展战略,致力于为全球客户提供卓越的电子元器件解决方案。公司拥有丰富的产品线,涵盖了广泛的电子元件类型,包括高性能的MOSFET、高效率的肖特基二极管、前沿的碳化硅(SiC)器件、经典的双极结型晶体管(BJT)、整流桥等关键电子元器件。这些产品凭借其出色的性能和可靠的质量,广泛应用于各种严苛的电子设备之中。

PJMP210N65EC_T0_00601 现货供应,可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 磐成 产品的专业分销商,我们保证所有元器件均为100%原装正品,直接来源于制造商授权渠道。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价,获取 PJMP210N65EC_T0_00601 的最新价格和交期信息。

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PJMP210N65EC_T0_00601 是什么类型的电子元器件?

PJMP210N65EC_T0_00601 是由 磐成 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。

哪里可以查看 PJMP210N65EC_T0_00601 的规格书和引脚图?

本页面提供 PJMP210N65EC_T0_00601 规格书(Datasheet)的在线查看和下载。点击上方「规格书」标签页即可查阅完整的技术参数、引脚定义和应用电路等详细资料,方便您选型参考。

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新闻资讯

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