
规格参数
| Product Status | Not For New Designs |
| FET Type | - |
| Technology | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | I-PAK |
| Package / Case | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
FCU360N65S3R0 安森美单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
FCU360N65S3R0 是由 安森美 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。MOSFET N-CH 600V IPAK。该器件的核心参数包括:Product Status: Not For New Designs、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)、Mounting Type: Through Hole、Supplier Device Package: I-PAK、Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak。
关于 安森美:安森美(onsemi)作为全球领先的能源高效创新驱动者,致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局,为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别,包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分,安森美通过其丰富的产品组合,有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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