TP65H150G4PS Transphorm单 FET、MOSFET
Transphorm TP65H150G4PS 单 FET、MOSFET
TP65H150G4PS是Transphorm旗下的单 FET、MOSFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供TP65H150G4PS现货库存与价格报价查询。我们可为您提供TP65H150G4PS datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| FET Type | - |
| Technology | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
TP65H150G4PS Transphorm单 FET、MOSFET - 规格参数与选型指南
TP65H150G4PS 是由 Transphorm 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GAN FET N-CH 650V TO-220。该器件的核心参数包括：Product Status: Active。
关于 Transphorm：Transphorm (Nasdaq: TGAN) 是一家全球领先的高性能、高可靠性氮化镓（GaN）**元器件**制造商，专注于高压**电子元件**的功率转换系统设计与生产。公司拥有业界规模庞大的GaN知识产权组合，超过1000项专利，这使其能够提供行业内最全面的GaN**IC芯片**产品线，覆盖从45瓦到10千瓦以上广泛的功率等级，满足多样化的应用需求。Transphorm的SuperGaN®平台核心技术优势显著，在可制造性、设计灵活性、驱动性能和可靠性方面均表现卓越。
TP65H150G4PS 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 Transphorm 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供TP65H150G4PS价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 TP65H150G4PS 的最新价格和交期信息。
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