| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | - |
| Technology | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (Max) | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | - |
| Operating Temperature | - |
| Mounting Type | - |
| Supplier Device Package | - |
| Package / Case | - |
关于 TP65H150G4PS
TP65H150G4PS 是由 Transphorm 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GAN FET N-CH 650V TO-220。该器件的核心参数包括：Product Status: Active。
关于 Transphorm：Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) is a global leader in the design and manufacturing of high performance, high reliability GaN semiconductors for high voltage power conversion systems. With the largest Power GaN IP portfolio of 1,000+ patents, Transphorm produces the industry’s most comprehensive GaN ...
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新闻资讯
Transphorm 单 FET、MOSFET 产品 TP65H150G4PS
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