| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| FET Type | N-Channel |
| Technology | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 39A |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 18V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 20A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.6V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41 nC @ 18 V |
| Vgs (Max) | +22V, -8V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 1000 V |
| FET Feature | - |
| Power Dissipation (Max) | 223W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Supplier Device Package | TO-247-4 |
| Package / Case | TO-247-4 |
关于 SICW080N120Y4-BP
SICW080N120Y4-BP 是由 Micro Commercial Components (MCC) 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)、Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V。
SICW080N120Y4-BP 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs（85mOhm @ 20A, 18V）、Vgs(th) (Max) @ Id（3.6V @ 5mA）、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs（41 nC @ 18 V）、Vgs (Max)（+22V, -8V）、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds（890 pF @ 1000 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 Micro Commercial Components (MCC)：Founded in 1991, Micro Commercial Components Corporation (MCC) is a Manufacturer of high-quality discrete semiconductors products, headquartered in Simi Valley California with manufacturing facilities in Asia. MCC is a vertically integrated company with an in-house wafer fabrication facility and fu...
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新闻资讯
Micro Commercial Components (MCC) 单 FET、MOSFET 产品 SICW080N120Y4-BP
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