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RQ1C065UNTR

¥4.90
单 FET、MOSFET

MOSFET N-CH 20V 6.5A TSMT8

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 6.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)±10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds870 pF @ 10 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)700mW (Ta)
Operating Temperature150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device PackageTSMT8
Package / Case8-SMD, Flat Lead

新闻资讯

ROHM Semiconductor 单 FET、MOSFET 产品 RQ1C065UNTR

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