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TP65H480G4JSG-TR

¥28.66
单 FET、MOSFET
Transphorm

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

参数名称参数值
Product StatusActive
FET TypeN-Channel
TechnologyGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 8 V
Vgs (Max)±18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds760 pF @ 400 V
FET Feature-
Power Dissipation (Max)13.2W (Tc)
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting TypeSurface Mount
Supplier Device Package3-PQFN (5x6)
Package / Case3-SMD, Flat Lead

关于 TP65H480G4JSG-TR

TP65H480G4JSG-TR 是由 Transphorm 制造的 单 FET、MOSFET 类电子元器件。GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、FET Type: N-Channel、Technology: GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)、Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V、Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)、Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V。

TP65H480G4JSG-TR 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Rds On (Max) @ Id, Vgs(560mOhm @ 3.4A, 8V)、Vgs(th) (Max) @ Id(2.8V @ 500µA)、Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs(9 nC @ 8 V)、Vgs (Max)(±18V)、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds(760 pF @ 400 V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。

关于 Transphorm:Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) is a global leader in the design and manufacturing of high performance, high reliability GaN semiconductors for high voltage power conversion systems. With the largest Power GaN IP portfolio of 1,000+ patents, Transphorm produces the industry’s most comprehensive GaN ...

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新闻资讯

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